Контрольная Схемотехника телекоммуникационных устройств, номер: 278900

№ варианта
τк, пс
Rкэ, Ом
Rвых, кОм
Вариант №11
200
40
25
где: Rкэ - в режиме насыщения
Rвых транзистора собственное, без учета внешних нагрузок
Схема с общим эмиттером.
Данные для расчета: транзистор 2N3904 (КТ375Б).
Паспортные данные для транзистора:
h21эмин = 50; h21эмах = 280; Ск = 5pF; fгр = 250 Мгц; Ikо = 7,5мА;
Внутреннее сопротивление источника сигнала Rг=1,0 кОм, сопротивление нагрузочного резистора Rк в коллекторной цепи транзистора Rк=510 Ом; сопротивления резисторов делителя в цепи базы: Rб1=101 кОм; Rб2=15 кОм.
Для схемы с последовательной частотно-независимой ООС по току сопротивление резистора в цепи эмиттера для получения ООС Rо = 520 Ом, Rнаг=360 Ом.
5.1 Режим работы усилителя без ООС
5.2 Режим работы усилителя с частотно-независимой отрицательной последовательной обратной связью по току
- влияние ООС на усилительные свойства усилителя и стабильность сквозного коэффициента усиления напряжения;
- влияние ООС на нелинейные искажения;
- способы корректирования АЧХ усилителя с помощью частотно-зависимой ООС;

- влияние ООС на входные и выходные сопротивления усилителя;