Контрольная Химия, вариант 8, номер: 180021

"Вариант 8
Рассчитать положение уровня Ферми и среднее энергетическое расстояние между разрешенными энергетическими уровнями зоны проводимости в кристалле меди объемом 3 см3 при температуре вблизи абсолютного нуля.

Полупроводник легирован акцепторной примесью до концентрации Na=2ni. Определить во сколько раз измениться удельная проводимость полупроводника по отношению к собственной, если отношение подвижностей электронов и дырок (µn/µp)=b. Считать, что все акцепторы находятся в ионизированном состоянии.

Обратный ток насыщения Is р-n-перехода при комнатной температуре равен 10-14A. При повышении температуры до 125 °С обратный ток насыщения увеличился в 105раз. Определить напряжение на переходе при комнатной температуре и температуре 125 °С, если прямой ток через него 1мА.

Определите отношение числа носителей заряда, проходящих в единицу времени через электроды фоточувствительного полупроводника к числу фотонов, поглощаемых полупроводником за тот же промежуток времени, если известно, что при полном поглощении монохроматического излучения с длиной волны 565 нм мощностью 100 мкВт фототок составляет 10 мА. Квантовый выход внутреннего фотоэффекта принять равным единице.

Изобразите пространственное распределение зарядов и энергетические диаграммы несимметричного резкого р-n-перехода (Na<Nд, где Na – концентрация акцепторных примесей в р-области; Nд – концентрация донорных примесей в n-области) для следующих случаев:
а) внешнее напряжение отсутствует;
б) прямое смещение перехода;
в) обратное смещение перехода.
При построениях на горизонтальной оси откладывать расстояние х.
Укажите направление диффузионного электрического поля и высоту потенциального барьера р-n- перехода.

Как объяснить, что в контакте металл-полупроводник заряды в металле образуются в области с линейным размером порядка дебаевского радиуса экранирования, а в полупроводнике в некотором приповерхностном слое? От чего зависит толщина этого слоя?
"